GKI03039 기술 사양
Sanken Electric USA Inc. - GKI03039 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Sanken Electric USA Inc. - GKI03039과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Sanken Electric USA Inc. | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 650µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.8mOhm @ 47.2A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 3.1W (Ta), 59W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2460 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 38.8 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Ta) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Sanken Electric USA Inc. GKI03039와 비슷합니다
| 제품 속성 | |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | GKI03039 | IXFH40N50Q2 | HUF75925D3ST | GKI03080 |
| 제조사 | Sanken Electric USA Inc. | IXYS | Fairchild Semiconductor | Sanken Electric USA Inc. |
| 연속 | - | HiPerFET™ | UltraFET™ | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2460 pF @ 15 V | 4850 pF @ 25 V | 1030 pF @ 25 V | 1030 pF @ 15 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 38.8 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 78 nC @ 20 V | 16.3 nC @ 10 V |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) | TO-247AD (IXFH) | TO-252, (D-Pak) | 8-DFN (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | TO-247-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8-PowerTDFN |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 500 V | 200 V | 30 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 전력 소비 (최대) | 3.1W (Ta), 59W (Tc) | 560W (Tc) | 100W (Tc) | 3.1W (Ta), 40W (Tc) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.8mOhm @ 47.2A, 10V | 160mOhm @ 500mA, 10V | 275mOhm @ 11A, 10V | 8.2mOhm @ 25A, 10V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 650µA | 4.5V @ 4mA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Ta) | 40A (Tc) | 11A (Tc) | 12A (Ta) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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IXFH40N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 40A TO247ADHUF75925D3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 11A TO252AAGKI03080Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 30V 12A 8DFNIXFH67N10IXYSMOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
NVMS5P02R2GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
FQD4N25TM-WSonsemiMOSFET N-CH 250V 3A DPAK
APT47F60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
FDPF7N60NZonsemiMOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
BUK9214-30A,118Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
IPP320N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
AO3162Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23GKI06259Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
APTM20UM03FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 580A SP6GKI04048Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 40V 14A 8DFNFCPF9N60NTFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSONGKI03026Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN
SI7888DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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