RSR010N10TL 기술 사양
Rohm Semiconductor - RSR010N10TL 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - RSR010N10TL과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | LAPIS Technology | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | TSMT3 | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 520mOhm @ 1A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 540mW (Ta) | |
패키지 / 케이스 | SC-96 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 140 pF @ 25 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Ta) | |
기본 제품 번호 | RSR010 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor RSR010N10TL와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | RSR010N10TL | NTTD4401FR2G | NDF06N60ZH | AOTF8N60 |
제조사 | Rohm Semiconductor | onsemi | Sanyo | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 520mOhm @ 1A, 10V | 90mOhm @ 3.3A, 4.5V | 1.2Ohm @ 3A, 10V | 900mOhm @ 4A, 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V | 18 nC @ 4.5 V | 31 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 140 pF @ 25 V | 750 pF @ 16 V | 923 pF @ 25 V | 1370 pF @ 25 V |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | 2.5V, 4.5V | - | 10V |
기본 제품 번호 | RSR010 | NTTD44 | - | AOTF8 |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 20 V | 600 V | 600 V |
Vgs (최대) | ±20V | ±10V | ±30V | ±30V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA | 1.5V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 250µA |
FET 유형 | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
패키지 / 케이스 | SC-96 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
제조업체 장치 패키지 | TSMT3 | 8-MSOP | TO-220-3 Full Pack | TO-220F |
연속 | - | FETKY™ | - | - |
전력 소비 (최대) | 540mW (Ta) | 780mW (Ta) | 31W (Tc) | 50W (Tc) |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
FET 특징 | - | Schottky Diode (Isolated) | - | - |
작동 온도 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Ta) | 2.4A (Ta) | 6A (Tj) | 8A (Tc) |
RSR010N10TL - Rohm Semiconductor에 대한 RSR010N10TL PDF 데이터 시트 및 Rohm Semiconductor 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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