RSR020N06TL 기술 사양
Rohm Semiconductor - RSR020N06TL 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - RSR020N06TL과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | LAPIS Technology | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | TSMT3 | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 170mOhm @ 2A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 540mW (Ta) | |
패키지 / 케이스 | SC-96 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 180 pF @ 10 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.9 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) | |
기본 제품 번호 | RSR020 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor RSR020N06TL와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | RSR020N06TL | SIA436DJ-T1-GE3 | SIHP180N60E-GE3 | FDR836P |
제조사 | Rohm Semiconductor | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor |
연속 | - | TrenchFET® | E | PowerTrench® |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
Vgs (최대) | ±20V | ±5V | ±30V | ±8V |
작동 온도 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
전력 소비 (최대) | 540mW (Ta) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | 156W (Tc) | 900mW (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | 1.2V, 4.5V | 10V | 2.5V, 4.5V |
제조업체 장치 패키지 | TSMT3 | PowerPAK® SC-70-6 | TO-220AB | SuperSOT™-8 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 180 pF @ 10 V | 1508 pF @ 4 V | 1085 pF @ 100 V | 2200 pF @ 25 V |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 특징 | - | - | - | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 170mOhm @ 2A, 10V | 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V | 180mOhm @ 9.5A, 10V | 30mOhm @ 6.1A, 4.5V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA | 800mV @ 250µA | 5V @ 250µA | 1V @ 250µA |
패키지 / 케이스 | SC-96 | PowerPAK® SC-70-6 | TO-220-3 | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 8 V | 600 V | 20 V |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.9 nC @ 10 V | 25.2 nC @ 5 V | 33 nC @ 10 V | 44 nC @ 4.5 V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) | 12A (Tc) | 19A (Tc) | 6.1A (Ta) |
기본 제품 번호 | RSR020 | SIA436 | SIHP180 | - |
RSR020N06TL - Rohm Semiconductor에 대한 RSR020N06TL PDF 데이터 시트 및 Rohm Semiconductor 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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