SUP53P06-20-E3 기술 사양
Vishay Siliconix - SUP53P06-20-E3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SUP53P06-20-E3과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Vishay / Siliconix | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | |
연속 | TrenchFET® | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 19.5mOhm @ 30A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
패키지 | Tube |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Through Hole | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3500 pF @ 25 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | |
FET 유형 | P-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.2A (Ta), 53A (Tc) | |
기본 제품 번호 | SUP53 |
기인하다 | 기술 |
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RoHS 상태 | |
수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
상태에 도달하십시오 | |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SUP53P06-20-E3와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | SUP53P06-20-E3 | SUP60020E-GE3 | SUP50020EL-GE3 | SUP50N03-5M1P-GE3 |
제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
FET 유형 | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
FET 특징 | - | - | - | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | 227 nC @ 10 V | 126 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3500 pF @ 25 V | 10680 pF @ 40 V | 11113 pF @ 30 V | 2780 pF @ 15 V |
연속 | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
패키지 | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 80 V | 60 V | 30 V |
기본 제품 번호 | SUP53 | SUP60020 | SUP50020 | SUP50 |
전력 소비 (최대) | 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.2A (Ta), 53A (Tc) | 150A (Tc) | 120A (Tc) | 50A (Tc) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 19.5mOhm @ 30A, 10V | 2.4mOhm @ 30A, 10V | 2.3mOhm @ 30A, 10V | 5.1mOhm @ 22A, 10V |
제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
SUP53P06-20-E3 - Vishay Siliconix에 대한 SUP53P06-20-E3 PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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