SUP57N20-33-E3 기술 사양
Vishay Siliconix - SUP57N20-33-E3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SUP57N20-33-E3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 연속 | TrenchFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 33mOhm @ 30A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 3.75W (Ta), 300W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5100 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 57A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | SUP57 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SUP57N20-33-E3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SUP57N20-33-E3 | SUP50N03-5M1P-GE3 | SUP60N06-12P-E3 | SUP53P06-20-E3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 33mOhm @ 30A, 10V | 5.1mOhm @ 22A, 10V | 12mOhm @ 30A, 10V | 19.5mOhm @ 30A, 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5100 pF @ 25 V | 2780 pF @ 15 V | 1970 pF @ 30 V | 3500 pF @ 25 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 패키지 | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 115 nC @ 10 V |
| 전력 소비 (최대) | 3.75W (Ta), 300W (Tc) | 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) | 3.25W (Ta), 100W (Tc) | 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 기본 제품 번호 | SUP57 | SUP50 | SUP60 | SUP53 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200 V | 30 V | 60 V | 60 V |
| 연속 | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 57A (Tc) | 50A (Tc) | 60A (Tc) | 9.2A (Ta), 53A (Tc) |
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SUP53P06-20-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySUP5522FSUPTECHSUP5519SUPSUP60N06-12PElectro-Films (EFI) / VishaySUP53P06-20-E3-NDElectro-Films (EFI) / VishaySUP60N06-18VISHSUP5853D-3TRSUP-TECHSUP60N02-4M5PElectro-Films (EFI) / VishaySUP60N06-18-E3VBSEMISUP60030E-GE3VishaySUP50N06-16LVISHSUP57N20-33Electro-Films (EFI) / VishaySUP53P06-20Electro-Films (EFI) / VishaySUP53P06-20-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
SUP60020E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 150A TO220ABSUP60N06-12P-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 60A TO220AB| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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