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블로그휴대용 장치의 BSS138LT1G 전원 관리 탐색
10월16일에서 195

휴대용 장치의 BSS138LT1G 전원 관리 탐색

BSS138LT1G는 저전압을 사용하여 장치의 전원을 관리하는 데 도움이되는 작고 효율적인 N- 채널 전력 MOSFET입니다.종종 컴퓨터, 프린터 및 휴대 전화와 같은 장치에서 찾을 수 있습니다.특히 전압 수준이 낮은 작업에 능숙하여 휴대용 및 배터리 구동 전자 제품에 적합합니다.컴팩트 한 디자인을 사용하면 회로 보드에 쉽게 맞출 수 있으므로 공간이 단단한 현대적인 장치에 적합합니다.이 기사는 기능, 응용 프로그램 및 기술 세부 사항을 안내 하여이 MOSFET이 프로젝트에 어떻게 유용 할 수 있는지 이해하는 데 도움이됩니다.

목록

1. BSS138LT1G의 개요
2. BSS138LT1G 핀 구성
3. BSS138LT1G CAD 설계
4. BSS138LT1G의 주요 특징
5. BSS138LT1G 사양 개요
6. BSS138LT1G 비슷한 부품
7. BSS138LT1G 응용 프로그램
8. BSS138LT1G 포장 정보
9. 제조업체 정보 : 반도체에

BSS138LT1G의 개요

그만큼 BSS138LT1G 저전압에 의존하는 장치에서 전원 관리를 위해 설계된 N 채널 전력 MOSFET입니다.컴퓨터, 프린터 및 휴대 전화 및 무선 전화와 같은 모바일 장치에서 발견되는 DC-DO-DC 변환기와 같은 응용 프로그램에 종종 사용됩니다.이 MOSFET을 차별화하는 것은 낮은 전압 레벨에서 효율적으로 작동하는 능력으로 인해 휴대용 및 배터리 구동 장치에 적합합니다.Compact SOT-23 Surface-Mount 패키지를 사용하면 회로 보드에 쉽게 맞출 수 있으며, 이는 공간 제약 디자인에 도움이됩니다.이것은 전력 효율과 크기가 중요한 현대 전자 제품에 적합합니다.

BSS138LT1G 핀 구성

 BSS138LT1G Pin Configuration

BSS138LT1G CAD 설계

BSS138LT1G 기호

 BSS138LT1G Symbol


BSS138LT1G 발자국

 BSS138LT1G Footprint

BSS138LT1G 3D 모델

 BSS138LT1G 3D Model

BSS138LT1G의 주요 기능

낮은 임계 값 전압

BSS138LT1G는 0.5V ~ 1.5V 범위의 낮은 임계 전압으로 작동합니다.이는 저전력 조건에서 효율적으로 켜지고 작동 할 수 있음을 의미하므로 작동하는 데 많은 에너지가 필요하지 않은 장치에 적합합니다.

소형 SOT-23 표면 마운트 패키지

작은 SOT-23 표면 장착 패키지는 회로 보드의 공간을 절약하는 데 도움이됩니다.이 소형 크기는 공간이 종종 제한되는 현대 전자 장치를 설계 할 때 도움이되므로 너무 많은 공간을 차지하지 않고 모든 것이 깔끔하게 맞도록합니다.

자동차 등급 자격 (AEC-Q101)

BSS138LT1G는 AEC-Q101 자격을 갖추므로 자동차 및 기타 까다로운 응용 프로그램에서 안정적인 사용을 위해 구축되었습니다.원활한 작동을 위해서는 장기 내구성이 필요한 힘든 환경을 처리 할 수 ​​있습니다.

ROH 및 환경 친화적 인 준수

BSS138LT1G는 ROHS 표준을 충족하여 특정 유해 물질의 사용을 제한합니다.또한 PB가없고 할로겐이 없으므로 환경 친화적 인 선택으로 친환경 의식 제조 노력과 일치합니다.

BSS138LT1G 사양 개요

ON 반도체 BSS138LT1G와 관련된 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 비슷한 부분.

유형 매개 변수
수명주기 상태
Active (마지막 업데이트 : 3 일 전)
공장 리드 타임 14 주
접촉 도금 주석
장착 유형 표면 마운트
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
표면 마운트
핀 수 3
트랜지스터 요소 재료 규소
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ℃ 200ma ta
구동 전압 (최대 RDS 켜짐, 최소 RDS) 5V
요소 수 1
전력 소실 (최대) 225MW TA
지연 시간을 끕니다 20 ns
작동 온도 -55 ° C ~ 150 ° C TJ
포장 컷 테이프 (CT)
게시 2005
JESD-609 코드 E3
pbfree 코드
부품 상태 활동적인
수분 감도 수준 (MSL) 1 (무제한)
종료 수 3
ECCN 코드 귀 99
저항 3.5 옴
전압 - 정격 DC 50V
터미널 위치 이중
터미널 형태 갈매기 날개
피크 리플 로우 온도 (셀) 260 ° C
현재 등급 200ma
시간 @ 피크 리플 로우 온도 (최대) 40 년대
핀 수 3
요소 구성 하나의
작동 모드 향상 모드
전력 소산 225MW
지연 시간을 켜십시오 20 ns
FET 유형 n 채널
트랜지스터 응용 프로그램 전환
rds on (max) @ id, vgs 3.5 Ω @ 200ma, 5V
vgs (th) (max) @ id 1.5V @ 1mA
할로겐이 없습니다 할로겐이 없습니다
입력 커패시턴스 (CISS) (max) @ vds 50pf @ 25V
VGS (Max) ± 20V
연속 드레인 전류 (ID) 200ma
임계 값 전압 1.5V
소스 전압 (VGS)에 게이트 20V
배수 current-max (abs) (id) 0.2A
소스 분해 전압으로 배수 50V
공칭 VG 1.5V
피드백 캡-맥스 (CRSS) 5pf
1.01mm
길이 3.04mm
너비 1.4mm
SVHC에 도달하십시오 SVHC 없음
방사선 경화 아니요
ROHS 상태 ROHS3 준수

BSS138LT1G 비슷한 부품

부품 번호 설명 제조업체
BSS138L9Z 220MA, 50V, N- 채널, SI, 작은 신호, MOSFET, TO-236AB 텍사스 악기
BSS138-7-F 작은 신호 전계 효과 트랜지스터, 0.2A (ID), 50V, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, 플라스틱 패키지 -3 SPC Multicomp
UBSS138TA 소형 신호 전계 효과 트랜지스터, 0.2A (ID), 50V, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, SOT-23, 3 PIN Zetex / Diodes Inc
BSS138T/R13 소형 신호 전계 효과 트랜지스터, 0.3A (ID), 50V, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, ROHS 준수 패키지 -3 Panjit 반도체
BSS138NL6327 소형 신호 전계 효과 트랜지스터, 0.23A (ID), 60V, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, ROHS 준수, 플라스틱 패키지 -3 Infineon Technologies AG
BSS138E6327 소형 신호 전계 효과 트랜지스터, 0.23A (ID), 50V, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, SOT-23, 3 PIN Infineon Technologies AG
BSS138-TP 소형 신호 전계 효과 트랜지스터, 0.22A (ID), 50V, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET 마이크로 상업적 구성 요소
BSS138NH6433 작은 신호 전계 효과 트랜지스터, 0.23A (ID), 50V, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, 녹색, 플라스틱 패키지 -3 Infineon Technologies AG
BSS138NH6433 소형 신호 전계 효과 트랜지스터, 0.23A (ID), 50V, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, SOT-23, 3 PIN Infineon Technologies AG
UBSS138 소형 신호 전계 효과 트랜지스터, 0.2A (ID), 50V, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, SOT-23, 3 PIN 다이오드가 통합되었습니다

BSS138LT1G 비슷한 부품

DC-DC 변환기

이 MOSFET은 종종 DC-DC 변환기에서 사용되므로 컴퓨터 및 모바일 전자 제품과 같은 장치의 전압 변경을 관리하는 데 도움이됩니다.올바른 전압 레벨이 다양한 구성 요소에 제공되도록하여 장치가 효율적으로 작동 할 수 있도록 도와줍니다.

프린터

BSS138LT1G는 프린터에서 전력 분배를 관리하는 데 사용되며, 에너지 폐기물과 과열을 방지하면서 구성 요소가 올바른 양의 전력을 얻을 수 있도록합니다.이렇게하면 시간이 지남에 따라 프린터가 원활하게 실행됩니다.

PCMCIA 카드

PCMCIA 카드에서 BSS138LT1G는 전력 사용을 제어하는 ​​데 도움이됩니다.이 카드는 랩톱 및 기타 장치에 기능을 추가하는 데 사용 되며이 MOSFET은 효율적인 작동을 지원하여 너무 많은 에너지를 사용하지 않고 효과적으로 작동하는 데 도움이됩니다.

배터리 구동 장치

BSS138LT1G는 종종 컴퓨터, 휴대 전화 및 무선 전화와 같은 배터리로 구동되는 장치에서 발견됩니다.전력 소비를 관리하여 장치가 효율적으로 실행되고 배터리 수명을 연장하여 충전간에 더 긴 사용을 허용합니다.

BSS138LT1G 포장 정보

BSS138LT1G 패키지 개요

 BSS138LT1G Package Outline

BSS138LT1G 기계식 데이터

어둑한 밀리미터 (최소) 밀리미터 (en) 밀리미터 (max) 인치 (분) 인치 (nom) 인치 (최대)
에이 0.89 1 1.11 0.035 0.039 0.044
A1 0.01 0.06 0.1 0 0.002 0.004
0.37 0.44 0.5 0.015 0.017 0.02
기음 0.08 0.14 0.2 0.003 0.006 0.008
2.8 2.9 3.04 0.11 0.114 0.12
이자형 1.2 1.3 1.4 0.047 0.051 0.055
E1 2.9 3 3.1 0.114 0.118 0.122
1.78 1.9 2.04 0.07 0.075 0.08
L1 0.35 0.54 0.69 0.014 0.021 0.027
2.1 2.4 2.64 0.083 0.094 0.104
0 ° ---- 10 ° 0 ° ---- 10 °

BSS138LT1G 권장 솔더링 발자국

 BSS138LT1G Recommended Soldering Footprint

제조업체 정보 : 반도체

반도체는 회사가 다양한 산업에서 에너지 사용을 줄이는 데 도움이되는 제품을 개발하는 것으로 유명합니다.자동차, 통신, 소비자 전자 제품 및 LED 조명과 같은 영역에서 찾을 수있는 전력 관리 및 신호 솔루션을 제공합니다.반도체는이 분야의 특정 설계 문제를 해결하는 데 도움이되는 다양한 제품을 제공함으로써 엔지니어와 디자이너를 지원합니다.전 세계 주요 시장에 존재하면 강력한 공급망을 유지하고 안정적인 고객 서비스를 제공합니다.그들의 제조 시설과 설계 센터는 전 세계 고객의 요구를 충족시킬 수 있도록 전략적으로 위치하고 있으며 에너지 절약 기술의 혁신을 지속적으로 주도합니다.

데이터 시트 PDF

BSS138LT1G 데이터 시트 :

BSS138LT1G.PDF

BSS138-TP 데이터 시트 :

BSS138-TP.PDF






자주 묻는 질문 [FAQ]

1. BSS138LT1G는 무엇을 사용합니까?

BSS138LT1G는 컴퓨터, 프린터, PCMCIA 카드 및 셀룰러 및 무선 전화와 같은 장치의 DC-DO-DC 변환기 및 전원 관리 시스템에서 일반적으로 사용되는 N- 채널 전력 MOSFET입니다.

2. BSS138LT1G의 임계 값 전압 범위는 얼마입니까?

BSS138LT1G는 임계 값 전압 범위가 0.5V ~ 1.5V이므로 저전력 응용 분야에 적합합니다.

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